內(nèi)孔感應(yīng)加熱晶體二閾管稱(chēng)為半導(dǎo)體二楓管，具有千具體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、壽命平穩(wěn)、不需要燈加熱等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)在高頻設(shè)備中取代真空=極管成為充氣管，有些已經(jīng)取代。

內(nèi)孔感應(yīng)加熱是半導(dǎo)體材料硅和鍺的單品體巾，由于原始的熱運(yùn)動(dòng)，外層電子從晶體共價(jià)鍵中脫離成為自由電子，脫離電子的地方變得容易變成空洞。純硅或鋪裝中存在數(shù)量相等的自由電子和空洞。

內(nèi)孔感應(yīng)加熱在純單晶硅和鍺中混入微量的冊(cè)子、σ、鎵等要素，產(chǎn)生大量空洞的是p型半導(dǎo)體，配合人磷、砷、銻等要素，產(chǎn)生大量的自由電子的是n型半導(dǎo)體。將p型和n型半導(dǎo)體通過(guò)一定的工藝連接起來(lái)，可以制作米導(dǎo)體=極管。

內(nèi)孔感應(yīng)加熱半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電原理。在外電場(chǎng)的作用下，空洞(帶正電)向負(fù)極移動(dòng)，電子(帶負(fù)電)向正極移動(dòng)，空間電荷區(qū)域(PN結(jié))狹窄，即正向電阻小，電流通過(guò)PN結(jié)流動(dòng)。p區(qū)負(fù)極/N區(qū)正極時(shí)，空穴和屯子的移動(dòng)方向相反，空間電荷區(qū)(PN結(jié))變寬，反向電子急劇增加。這是半導(dǎo)體晶體二極管尊向?qū)�申，弗在電路上完成整流任�?wù)的基本原理。一般晶體二極偏僻允許汝世電流少，硅二投管有效百安。