鍛造爐廠家IGBT中頻設(shè)備與中中頻可控硅對(duì)比。

IGBT鍛造爐制造商中頻設(shè)備發(fā)展如此之快的原因是與中頻可控硅相比具有一系列的倪點(diǎn)

1)啟動(dòng)速度快。IGBT鍛造爐制造商的中頻設(shè)備，無(wú)論容量大小，從啟動(dòng)到滿載輸出約為100~500毫秒。中頻可控硅的啟動(dòng)時(shí)間與容量有關(guān)，容量越大，起動(dòng)時(shí)凹凸越長(zhǎng)，一般需要幾十秒以上。

2)容易停止。IGBT鍛造爐制造商的中額設(shè)備在幾毫秒內(nèi)可以關(guān)閉的可控硅慣性大，至少需要幾分鐘。

3)硅鍛造爐廠家中頻設(shè)備效率高，額定負(fù)荷時(shí)效率達(dá)91-95%，半負(fù)荷狀態(tài)也達(dá)90~93%的可控硅效率只有80~90%。

4)IGBT鍛造爐中頻設(shè)備的空載損失小，一般只有0.5~1%。可控硅的空載損失比10倍高，一般為5~10%。

5)功率因數(shù)調(diào)整方式不同。IGBT鍛爐制造商的中頻設(shè)備通過頻率自動(dòng)跟蹤負(fù)荷變化，連續(xù)自動(dòng)調(diào)整�？煽毓璧念l率是固定的，一般通過切換電容來(lái)實(shí)現(xiàn)斷續(xù)續(xù)的調(diào)整，既麻煩又難以達(dá)到理想。

6)IGBT鍛造爐廠家的中頻設(shè)備作為要求頻率變化大的負(fù)荷的供電電源，可控硅不能適應(yīng)。